什么是CMP化學(xué)機械研磨拋光？
CMP（Chemical Mechanical Polishing）其實為化學(xué)與機械研磨（C&MP）的意思，化學(xué)作用與機械作用平等。

目前CMP已成為半導(dǎo)體制程主流，其重要的原因主要有二：
①為了縮小芯片面積，因此采用集成度高、細(xì)線化的多層金屬互連線（七層以上），因線寬極細(xì)，且需多層堆疊，故光刻制程即為一關(guān)鍵步驟。若晶圓表面凹凸不平，平坦度差，則會影響光刻精確度，因此需以CMP達(dá)成晶圓上金屬層間之全面平坦化（Global Planarization）。
②為了降低元件之電阻電容延遲（RC Delay），提高運算速度，因此將內(nèi)聯(lián)機由電阻系數(shù)較高之鋁改為較低之銅。但銅不易產(chǎn)生高揮發(fā)性之化合物，以目前技術(shù)，不易進(jìn)行量產(chǎn)之等離子蝕刻，所以目前多采鑲嵌制程，即先在絕緣層上定義所需圖案，再沉積銅金屬，最后再以CMP將多余銅金屬磨除。

機械研磨與化學(xué)作用，而達(dá)成磨平晶圓上之金屬層、阻障層、絕緣層。晶圓上不平表面與研磨墊（Pad）互相接觸研磨，兩者之間并添加由酸性或堿性研磨液（Solution）與超細(xì)固體研磨粒（Abrasive）組成之研磨漿（Sluny）。藉由研磨粒之「機械」研磨磨與研磨液之「化學(xué)」作用，二種作用同時進(jìn)行，而將不平表面去除，使表面平坦。
CMP主要消耗品為載具膜（Carrier Film）、研磨墊pad及研磨漿slurry。廣義CMP包含CMP后清潔（Post-CMP Cleaning）。

CMP工藝高效穩(wěn)定、工藝組合靈活，可實現(xiàn)晶圓納米級全局平坦化，滿足先進(jìn)制程技術(shù)需求，已在集成電路、先進(jìn)封裝、大硅片等制造工藝中批量應(yīng)用。

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