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半導(dǎo)體先進制程PAD拋光墊國產(chǎn)替代進行中

文章出處:責(zé)任編輯:人氣:-發(fā)表時間:2023-06-23 11:09【

  國內(nèi)半導(dǎo)體制造的崛起加速推動了半導(dǎo)體材料的國產(chǎn)化進程。在政策、資金以及市場需求的帶動下,我國集成電路產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展,帶動上游材料需求增長。先進制程CMP拋光液CMP拋光墊用量大增,國產(chǎn)替代進行中。

  CMP拋光墊(CMP PAD)一般分為聚氨酯拋光墊無紡布拋光墊阻尼布拋光墊等,高精密研磨拋光墊應(yīng)用于半導(dǎo)體制作、平面顯示器、玻璃光學(xué)、各類晶圓襯底、高精密金屬已經(jīng)硬盤基板等產(chǎn)業(yè),目前主要型號有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等,其中IC1000和SUBA是用得最廣的。

拋光墊國產(chǎn)替代suba/fujibo/Politex/環(huán)球.jpg

  拋光墊由高分子材料合成,表面微孔洞結(jié)構(gòu), 有適度的剛性和研磨力,不僅可以去除硅片表面多余材料,對拋光液/研磨液有良好的保持性,使液體流動起到帶走切削細(xì)屑的作用。

  吉致電子新一代技術(shù)的拋光墊采用了獨特的聚合體化學(xué)材料制成,孔隙率較高,可以將鎢(W)、層間電介質(zhì)(ILD) 和銅(Cu) 制程的拋光速率提高。速率的提高使客戶能夠減少拋光時間和拋光液消耗,從而大幅降低拋光的耗材成本。同時拋光墊產(chǎn)品還可將鎢(W)和銅(Cu) 的制程缺陷率降低,可減低鎢(W)制程中的碟形缺陷(Dishing)和腐蝕缺陷(Erosion)。

  吉致電子拋光液slurry和拋光墊Pad的組合可用于半導(dǎo)體晶圓的粗磨、精磨、粗拋、精拋,實現(xiàn)得超低缺陷的納米級晶圓表面平坦度。對碳化硅Sic、砷化鎵、磷化銦INP、碲鋅鎘、集成電路硅片、鈮酸鋰LiNbO3、鈦酸鋰、銻化銦、氮化鎵、藍(lán)寶石襯底、硅光芯片等進行精密拋光。

  CMP拋光材料逐步實現(xiàn)進口替代,效果獲得客戶認(rèn)可,吉致電子研發(fā)團隊與客戶積極溝通,更快地響應(yīng)國內(nèi)客戶的需求并為其及時地提供解決方案!

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