美國的一家公司使用了外延剝離技術(shù)，成功用砷化鎵制造出了高轉(zhuǎn)化效率薄膜太陽能電池，轉(zhuǎn)化率高達28.4%。這種電池不僅僅打破了此前的轉(zhuǎn)化率，它的生產(chǎn)成本也低于其它的太陽能電池。這種太陽能電池效率提升的關(guān)鍵并非是讓其吸收更多的光子，而是讓其釋放更多的光子，未來用砷化鎵制造的太陽能電池有望突破能效轉(zhuǎn)化記錄的限。就目前而言效率高的商用太陽能電池由單晶硅圓制造，高的轉(zhuǎn)化率為23%。砷化鎵雖然比硅貴，但它其吸收的光子效率更加的效率，按性價比來說，砷化鎵是制造太陽能的理想材料。

砷化鎵雖然是太陽能電池的理想材料，但是對于其拋光需要化學機械平面拋光，搭配理想的砷化鎵拋光液和砷化鎵拋光墊，一般砷化鎵拋光液被廣泛用于2-6寸的砷化鎵晶片，使用時可以加10-20倍的純水進行稀釋，拋光溫度要控制在35℃-45℃，拋光機的下壓力控制在100-300g/cm²，砷化鎵拋光液建議循環(huán)使用6-8小時。砷化鎵拋光液、砷化鎵拋光墊所拋的砷化鎵無劃傷，具有很高的移除速率，被廣泛使用。

砷化鎵是典型的直接躍遷型能帶結(jié)構(gòu),導帶小值與價帶大值均處于布里淵區(qū)中心,即K=0處,這使其具有較高的電光轉(zhuǎn)換效率,是制備光電器件的優(yōu)良材料。在300K時,砷化鎵材料禁帶寬度為1.42eV,遠大于鍺的0.67eV和硅的1.12eV,因此,砷化鎵器件可以工作在較高的溫度下和承受較大的功率。砷化鎵(GAas)材料與傳統(tǒng)的硅半導體材料相比,它具有很高的電子遷移率、寬禁帶、直接帶隙,消耗功率低的特性,電子遷移率約為硅材料的5.7倍。因此，廣泛用于高頻及無線通訊中制作IC器件。所制出的這種高頻、高速、防輻射的高溫器件，通常應用于無線通信、光纖通信、移動通信、GPS社會導航等領(lǐng)域，除在IC產(chǎn)品應用以外，砷化鎵材料也可以加入其它元素改變其能帶結(jié)構(gòu)使其產(chǎn)生光電效應，制成半導體發(fā)光器件，還可以制作砷化鎵太陽能電池。

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