SiC襯底常規(guī)雙面磨工藝

雙面磨工藝又稱DMP工藝，是大部分國(guó)內(nèi)碳化硅襯底廠商規(guī)模化生產(chǎn)的工藝方案，對(duì)碳化硅進(jìn)行雙面研磨(粗磨/精磨)達(dá)到一定的表面平整度和光潔度。

①粗磨：采用鑄鐵盤+單晶金剛石研磨液雙面研磨的方式

該工藝可以有效的去除線割產(chǎn)生的損傷層，修復(fù)面型，降低TTV，Bow，Warp，去除速率穩(wěn)定，一般能達(dá)到0.8-1.2um/min的去除率。但該工藝加工后的晶片表面是亞光面, 粗糙度較大，一般在50nm左右，對(duì)后工序的去除要求較高。

②精磨：采用聚氨酯發(fā)泡Pad+多晶金剛石研磨液雙面研磨的方式該工藝加工后的碳化硅晶圓表面粗糙度低，能達(dá)到Ra<3nm，這更有利于碳化硅襯底片后工序的拋光。

隨著雙面磨工藝發(fā)展，又改良出新的研磨工藝--- 團(tuán)聚金剛石雙面研磨工藝，該工藝良率高，成本更低，精磨損傷層更低，更有利于拋光，再后續(xù)的文章中吉致電子小編會(huì)介紹團(tuán)聚金剛石雙面研磨工藝的具體工序和特點(diǎn)。

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