隨著國家對第三代半導(dǎo)體材料的重視，近年來我國半導(dǎo)體材料市場發(fā)展迅猛，CMP Slurry 半導(dǎo)體拋光液的需求也在增長。其中以碳化硅SiC與氮化鎵NaG為主的材料備受關(guān)注，兩者經(jīng)常被拿來比較。

  同為寬近帶半導(dǎo)體的成員，碳化硅SiC與氮化鎵NaG有何相同、有何不同呢？碳化硅與氮化家均屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有禁代寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導(dǎo)電性能好的特點。隨著市場對半導(dǎo)體器件微型化、導(dǎo)熱性的高要求，這類材料的市場需求暴漲，適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。

  ①性能不同：高電子遷移率和電子飽和速度允許更高的工作頻率，高臨界場允許這些器件能在更高的電壓和更低的漏電流中操作。對于射頻和開關(guān)電源設(shè)備而言，氮化鎵NaG的電子遷移率高于碳化硅SiC，而碳化硅高于硅，故氮化鎵應(yīng)該最終成為極高頻率的最佳設(shè)備材料，高導(dǎo)熱系數(shù)意味著材料能夠更有效的傳導(dǎo)熱量，碳化硅具有更高的熱導(dǎo)率，意味著碳化硅器件理論上可以在更高的功率密度下操作。氮化鎵相對較差的導(dǎo)熱性使系統(tǒng)設(shè)計人員處理氮化鎵器件的熱量管理面臨一個挑戰(zhàn)。

  ②應(yīng)用不同：氮化鎵和碳化硅在材料性能上各有優(yōu)劣，因此在應(yīng)用領(lǐng)域上各有側(cè)重和互補。

  氮化鎵的商業(yè)化應(yīng)用始于led照明和激光器，而射頻和功率器件是發(fā)揮氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體特性的主要應(yīng)用領(lǐng)域。5G基站會用到多發(fā)多收天線陣列方案，氮化鎵射頻器件對于整個天線系統(tǒng)的功耗和尺寸都有巨大的改進(jìn)，因此5G通信將是氮化鎵射頻器件市場的主要增長驅(qū)動因素。碳化硅能大大降低功率轉(zhuǎn)換中的開關(guān)損耗，因此具有更好的能源轉(zhuǎn)換效率，更容易實現(xiàn)模塊的小型化，更耐高溫。目前主要用于高溫、高頻、高效能的大功率元件，如智能電網(wǎng)、交通、新能源汽車、光伏、風(fēng)電。其中新能源汽車是碳化硅功率器件市場的主要增長驅(qū)動因素，主要的運動器件有功率控制單元、逆電器、BCDC轉(zhuǎn)換器、車載充電器等。

  吉致電子關(guān)于第三代半導(dǎo)體材料碳化硅、氮化鎵的CMP化學(xué)機(jī)械表面平坦化工藝，研發(fā)的研磨液拋光液，具有低缺陷、高去除率和良好的平坦化效果，我司碳化硅拋光液、氮化鎵拋光液在實際應(yīng)用中均有良好的表現(xiàn)，數(shù)據(jù)媲美進(jìn)口半導(dǎo)體拋光液，可以做到國產(chǎn)化替代。

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