吉致電子拋光液----碳化硅SiC襯底CMP研磨/拋光方案詳解

  吉致電子以幫助用戶持續(xù)提升效率及良品率為目標，針對碳化硅襯底DMP和CMP工藝不斷優(yōu)化研發(fā)和改善。通過長期的研發(fā)積累，打破長期被國外壟斷的關(guān)鍵耗材，實現(xiàn)國產(chǎn)化替代。SIC襯底研磨拋光工藝使用的研磨液、拋光液、研磨墊、拋光墊該怎么選擇搭配，以及CMP產(chǎn)品使用效果如何，碳化硅研磨/拋光工藝產(chǎn)品推薦及參數(shù)詳解如下：

  碳化硅襯底簡要加工流程：混料→晶體生長→切片→MP研磨OR砂輪研磨→CMP拋光→清洗檢測。

  碳化硅襯底研磨液一般選用優(yōu)質(zhì)類多晶金剛石，有較高的強度、韌性和自銳性，在研磨拋光應用中可實現(xiàn)碳化硅晶圓非常高的表面質(zhì)量，同時顯著提升材料去除率。吉致電子可根據(jù)要求定制slurry產(chǎn)品，一般粒度為：1.5-1μm、1μm、2-4μm、5μm等。

Step 1:碳化硅SIC粗磨工藝測試數(shù)據(jù)---6吋碳化硅晶片 拋光液：JZ-8003 拋光墊：JZ-2020 壓力：3psi 拋光速率：25-30μm/H 表面粗糙度RA：1.22nm

Step 2:碳化硅SIC精磨工藝測試數(shù)據(jù)---6吋碳化硅晶片 拋光液：JZ-8001 拋光墊：JZ-2020 壓力：3psi 拋光速率：6.8μm/H 表面粗糙度RA：0.45nm

Step 3:碳化硅SIC粗拋工藝測試數(shù)據(jù)---6吋碳化硅晶片 拋光液：JZ-8010 拋光墊：JZ-2020 壓力：350g/cm² 拋光速率：2.5μm/H 表面粗糙度RA：0.13nm

Step 4:碳化硅SIC精拋工藝測試數(shù)據(jù)---6吋碳化硅晶片 拋光液：JZ-8020 精拋墊：JZ-326 壓力：300g/cm² 拋光速率：0.25μm/H 表面粗糙度RA：0.06nm

吉致電子碳化硅SIC粗拋液/精拋液 產(chǎn)品使用說明：

碳化硅c襯底搭配吉致電子CMP拋光液、拋光墊使用后表面粗糙度達0.06nm及以下：

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