金屬鉬片的CMP拋光工藝

  工廠的鉬片加工工藝采用粗磨、雙端面立磨等研磨工藝，粗磨的合格率僅在85％左右，整體平行度不良居多，造成產(chǎn)品合格率下降，也造成后續(xù)加工難度，這與金屬鉬的特性有關(guān)，目前鉬片采用CMP拋光工藝（拋光液+拋光墊）能達(dá)到鏡面效果。  鉬的特點(diǎn)：鉬是一種難溶金屬，具有很多優(yōu)良的物力化學(xué)和機(jī)械性能。由于原子間結(jié)合力極強(qiáng)，所以在常溫和高溫下強(qiáng)度均非常高。它的膨脹系數(shù)低，導(dǎo)電率大，導(dǎo)熱性好。在常溫下不與鹽酸、氫氟酸及堿溶液反應(yīng)，僅溶于硝酸、王水或濃硫酸之中，對(duì)大多數(shù)液態(tài)金屬、非金屬熔渣和熔融玻璃亦相當(dāng)穩(wěn)定。&

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吉致電子氮化鋁陶瓷基片拋光

氮化鋁陶瓷基板具有高導(dǎo)熱率、低介電常數(shù)、低熱膨脹系數(shù)、高機(jī)械強(qiáng)度、高耐腐蝕性等特點(diǎn)。其作為電路元件及互連線(xiàn)承載體，廣泛應(yīng)用再軍事和空間技術(shù)通訊、計(jì)算機(jī)、儀器儀表、半導(dǎo)體電子設(shè)備、汽車(chē)等各個(gè)領(lǐng)域。氮化鋁陶瓷經(jīng)過(guò)CMP拋光后可用于半導(dǎo)體激光器、固體繼電器、大功率集成電路及封裝等要求絕緣又高散熱的大功率器件上。吉致電子氮化鋁陶瓷拋光液可達(dá)鏡面效果，特點(diǎn)如下：1、納米級(jí)拋光液，拋光后具有較優(yōu)的粗糙度2、陶瓷基片拋光液綠色無(wú)污染、不含鹵素及重金屬元素3、拋光液可循環(huán)使用，根據(jù)工藝要求可添加去離子水稀釋氮化鋁陶瓷基板通過(guò)CMP

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吉致電子碳化硅SiC拋光液的作用

   拋光液是CMP的關(guān)鍵耗材之一，拋光液中的氧化劑與碳化硅SiC單晶襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成薄且剪切強(qiáng)度很低的化學(xué)反應(yīng)膜，反應(yīng)膜（軟質(zhì)層）在磨粒的機(jī)械作用下被去除，露出新的表面，接著又繼續(xù)生成新的反應(yīng)膜，CMP工藝周而復(fù)始的進(jìn)行磨拋，達(dá)到表面平坦效果。  通過(guò)研磨工藝使用微小粒徑的金剛石研磨液，對(duì)SiC晶片進(jìn)行機(jī)械拋光加工后，可大幅度改善晶圓表面平坦度。但加工表面存在很多劃痕，且有較深的殘留應(yīng)力層和機(jī)械損傷層。為進(jìn)一步提高碳化硅晶圓表面質(zhì)量，改善粗糙度及平整度，，超精密拋光是SiC

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半導(dǎo)體襯底拋光工藝---磷化銦InP拋光液

  拋光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，獲得無(wú)損傷的平坦化表面。對(duì)于磷化銦INP材料，目前主要采用 CMP化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝來(lái)進(jìn)行拋光。使用吉致電子磷化銦拋光液，可達(dá)到理想的表面粗糙度。磷化銦INP作為半導(dǎo)體襯底，需要經(jīng)過(guò)單晶生長(zhǎng)、切片、外圓倒角、研磨、拋光及清洗等工藝過(guò)程。由于磷化銦硬度小、質(zhì)地軟脆，在鋸切及研磨加工工藝中，晶片表面容易產(chǎn)生表面/亞表面損傷層，需要通過(guò)最終的CMP拋光工藝去除表面/亞表面損傷、減少位錯(cuò)密度并降低表面粗糙度。  吉致電子磷化銦拋光液采用氧化鋁

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吉致電子--單晶金剛石研磨液的用途

  吉致電子單晶金剛石研磨液是由單晶金剛石微粉、水/油等液體配制而成的CMP研磨液，可有效提高切削力和拋光效率。單晶金剛石硬度大、抗磨損性能好，具有良好的導(dǎo)熱性能和耐高溫性能，能夠在高溫高壓環(huán)境下保持穩(wěn)定的物理和化學(xué)性質(zhì)。  吉致電子生產(chǎn)的單晶金剛石研磨液 / 單晶金剛石拋光液 / 單晶金剛石懸浮液產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、集成電路、光學(xué)儀器，精密陶瓷，硬質(zhì)合金，LED顯示屏等多種領(lǐng)域。溶劑一般分為水基，油基，潤(rùn)滑基，酒精基。金剛石研磨液粒度：1μm，3μm，6μm，9μm （也可定制0.25μm

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生物芯片拋光---吉致碳酸鈣拋光液

生物基因芯片拋光該選擇什么類(lèi)型的研磨液/拋光液呢？通常CMP拋光液磨料為氧化硅、氧化鋁、金剛石、氧化鈰等，但用于基因芯片玻璃基底水凝層的去除效果不太理想。經(jīng)過(guò)吉致電子研發(fā)和實(shí)驗(yàn)，配制的碳酸拋光液可有效拋光生物基因芯片達(dá)到理想的平坦度。吉致電子基因芯片拋光液 DNA Slurry選用微米級(jí)磨料，粒徑均一穩(wěn)定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質(zhì)水凝膠、納米壓印、抗蝕劑材料等。通過(guò)CMP工藝可有效去除基底涂層，對(duì)基底無(wú)劃傷無(wú)殘留，吉致電子碳酸鈣拋光液、DNA芯片拋光液與國(guó)內(nèi)外同類(lèi)產(chǎn)品相比，具有易清洗、表面粗糙度

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吉致電子--磨具拋光液 配油盤(pán)加工拋光

金屬模具研磨拋光---配油盤(pán)由強(qiáng)度較高的模具鋼制成，一般研磨工藝很難達(dá)到拋光效果，即使有效拋磨時(shí)間也非常漫長(zhǎng)。吉致電子使用CMP工藝研磨液和拋光墊結(jié)合，通過(guò)不同磨料制備的液體，快速去除工件表面凹凸不平坦，達(dá)到平整光滑的效果。硬質(zhì)金屬拋光研磨使用金剛石研磨液，實(shí)現(xiàn)平面快速拋光，去毛刺和劃痕。吉致電子金剛石研磨液包括多晶、單晶、納米三種不同類(lèi)型的拋光液，由優(yōu)質(zhì)的金剛石微粉復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成，配方多樣化，適用不同的研拋過(guò)程和于硬質(zhì)材料的研磨和拋光。本文由無(wú)錫吉致電子科技原創(chuàng)，版權(quán)歸無(wú)錫吉致電子科技，未經(jīng)允許，不得轉(zhuǎn)

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吉致電子 Diamond slurry多晶金剛石研磨液

吉致電子多晶金剛石研磨液---由優(yōu)質(zhì)多晶金剛石微粉復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)制備而成，廣泛適用于半導(dǎo)體行業(yè)、金屬行業(yè)、光電行業(yè)等工件的研磨加工。金剛石研磨液主要應(yīng)用領(lǐng)域：藍(lán)寶石加工----用于藍(lán)寶石A向、C向、R向、M向，藍(lán)寶石LED襯底、藍(lán)寶石蓋板、藍(lán)寶石窗口片。半導(dǎo)體加工----單晶/多晶硅、碳化硅SIC、氮化鎵晶圓片加工陶瓷材料加工--氧化鋯指紋識(shí)別片，氧化鋯陶瓷手機(jī)后殼，氮化鋁陶瓷以及其他功能陶瓷加工。光學(xué)晶體加工--硒化鋅晶體、硫化鋅晶體以及其他晶體材料加工。金屬材料加工--不銹鋼、鋁合金、硬質(zhì)合金、鎢鉬合金以

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吉致電子---常見(jiàn)的半導(dǎo)體研磨液有哪些

  吉致電子半導(dǎo)體研磨液有哪些？常見(jiàn)的CMP研磨液有氧化鋁研磨液，金剛石研磨液，藍(lán)寶石研磨液。分別用于磨削工件、半導(dǎo)體制程、光學(xué)玻璃晶圓等工件加工。  其中金剛石研磨液，它的硬度非常高，性能穩(wěn)定切削力強(qiáng)，被廣泛應(yīng)用于led工業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、光學(xué)玻璃和寶石加工業(yè)、機(jī)械加工業(yè)等不同行業(yè)中。研磨液是半導(dǎo)體加工生產(chǎn)過(guò)程中的一項(xiàng)非常重要工藝，它主要是通過(guò)CMP研磨液混配磨料的方式對(duì)半導(dǎo)體表面進(jìn)行精密加工，達(dá)到平坦度。研磨液是影響半導(dǎo)體表面工作質(zhì)量的重要經(jīng)濟(jì)因素。吉致電子用經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)服務(wù)每一位客戶(hù)，有CMP

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第三代半導(dǎo)體材料--碳化硅晶圓SiC拋光液

  隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向其物理極限，同時(shí)硅也滿(mǎn)足不了微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求快速發(fā)展的需要，以化合物半導(dǎo)體材料，特別是第三代半導(dǎo)體為代表的半導(dǎo)體新材料快速崛起。  碳化硅是新型電力系統(tǒng)，特高壓電網(wǎng)必需的可達(dá)萬(wàn)伏千安等級(jí)的唯一功率半導(dǎo)體材料，同時(shí)也是高鐵和新能源汽車(chē)牽引、電控系統(tǒng)的“心臟”。從國(guó)際技術(shù)發(fā)展水平來(lái)看，碳化硅方面，8英寸襯底開(kāi)始產(chǎn)業(yè)化，車(chē)規(guī)級(jí)功率器件是當(dāng)前開(kāi)發(fā)重點(diǎn)，多家廠商已推出大功率模組及高溫封裝產(chǎn)品，碳化硅器件正向耐受更高電壓

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吉致電子手機(jī)取卡針拋光液

  吉致電子手機(jī)液態(tài)金屬拋光液，手機(jī)取卡針拋光液，研磨拋光漿料為粗拋、中拋、精拋漿料懸浮性好，特點(diǎn)是不易沉淀、不結(jié)晶、不腐蝕機(jī)臺(tái)，易于清洗。  適用于3C電子產(chǎn)品，手機(jī)電子元器件、液態(tài)金屬、喇叭網(wǎng)聽(tīng)筒/手機(jī)音量鍵、碳素鋼拋光液可以迅速去除CNC刀紋、底紋等，拋光后無(wú)劃傷、橘皮、坑點(diǎn)、針眼等缺陷不含重金屬以及有害物質(zhì)、環(huán)保無(wú)危害，可接觸皮膚。  產(chǎn)品運(yùn)用拋光液中的CMP化學(xué)機(jī)械作用，提高拋光速率改善拋光表面的質(zhì)量顆粒粒徑分布適中，最大程度提升拋光速率的同時(shí)降低微劃傷的概率顆粒分散性好，有

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CMP拋光液---納米氧化鈰拋光液的優(yōu)點(diǎn)

  通?；瘜W(xué)機(jī)械研磨拋光工藝使用的CMP拋光液有金剛石拋光液、氧化硅拋光液、氧化鋁拋光液及氧化鈰拋光液（又稱(chēng)稀土拋光液）。  納米氧化鈰為水性液體是吉致電子采用先進(jìn)的分散工藝，將納米氧化鈰粉體分散在水相介質(zhì)中，形成高度分散化、均勻化和穩(wěn)定化的納米氧化鈰水性懸浮液。1.在拋光材料應(yīng)用中，納米CeO2拋光液相對(duì)硅溶膠，具有拋光劃傷少、拋光速度快、易清洗良品率高等優(yōu)勢(shì)，且PH中性，使用壽命長(zhǎng)、對(duì)拋光表面污染小，不易風(fēng)干。2.在拋光軍用紅外激光硅片、異型硅、超薄硅片方面上，尤其是拋光超薄硅片，納米氧化鈰

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吉致電子常見(jiàn)的CMP研磨液

  CMP 化學(xué)機(jī)械拋光液slurry的主要成分包括：磨料、添加劑和分散液。添加劑的種類(lèi)根據(jù)產(chǎn)品適用場(chǎng)景也有所不同，分金屬拋光液和非金屬拋光液。金屬CMP拋光液含：金屬絡(luò)合劑、腐蝕抑制劑等。非金屬CMP拋光液含：各種調(diào)節(jié)去除速率和選擇比的添加劑。  根據(jù)拋光對(duì)象不同，拋光液可分為銅拋光液、鎢拋光液、硅拋光液和鈷拋光液等類(lèi)別。其中，銅拋光液和鎢拋光液主要用于邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片制造過(guò)程，在10nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)中，鈷將部分代替銅作為導(dǎo)線(xiàn)；硅拋光液主要用于硅晶圓初步加工過(guò)程中。吉致電子常見(jiàn)的CMP研

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2023吉致電子春節(jié)放假通知

尊敬的客戶(hù):新春伊始，萬(wàn)象更新，值此春節(jié)到來(lái)之際，無(wú)錫吉致電子科技有限公司全體員工感謝您長(zhǎng)期以來(lái)對(duì)我司的支持與厚愛(ài)!向您致以最誠(chéng)摯的祝福和問(wèn)候!一路走來(lái)，有您相伴，因?yàn)槟闹С郑覀冃判陌俦?！因?yàn)槟暮献?，我們碩果累累！因?yàn)槟闹笇?dǎo)，我們不斷進(jìn)步！因?yàn)槟暮亲o(hù)，我們心存感激！吉致電子科技有限公司期待與您攜手共進(jìn)，共同創(chuàng)造一個(gè)共贏輝煌的2023年，在新的一年里，我司會(huì)持續(xù)為您提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)!公司春節(jié)放假時(shí)間具體安排如下:放假時(shí)間: 2023年1月14日--1月28日  開(kāi)工時(shí)間：2023年1月29日因放假

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硅溶膠研磨液--精密工件鏡面拋光效果秘密

  吉致電子硅溶膠研磨液/拋光液采用的是納米級(jí)工藝，主要粒徑在10-150nm。適用于各種材質(zhì)工件的CMP表面鏡面處理。以硅溶膠漿料為鏡面的平面研磨的材料有半導(dǎo)體晶圓、光學(xué)玻璃、3C電子金屬元件、藍(lán)寶石襯底、LED顯示屏等高精密元件。  硅溶膠拋光液也稱(chēng)二氧化硅拋光液、氧化硅精拋液，SiO2是硅溶膠的化學(xué)名，適用范圍已擴(kuò)展到半導(dǎo)體產(chǎn)品的CMP拋光工藝中。  CMP拋光機(jī)可以將氧化硅研磨液循環(huán)引入磨盤(pán)，同時(shí)起到潤(rùn)滑和冷卻的作用，通過(guò)拋光液和拋光墊組合拋磨可以使工件表面粗糙度達(dá)到0.2um

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吉致電子Slurry拋光漿料--阻擋層拋光液

  目前，超大規(guī)模集成電路芯片的集成度已經(jīng)達(dá)到了數(shù)十億個(gè)元件，特征尺寸已經(jīng)達(dá)到了納米級(jí)，這就需要微電子技術(shù)中的數(shù)百道工序，尤其是多層布線(xiàn)、襯底、介質(zhì)等必須通過(guò)CMP化學(xué)機(jī)械技術(shù)，拋光液和拋光墊磨拋達(dá)到平坦化。VLSI布線(xiàn)正從傳統(tǒng)的鋁布線(xiàn)工藝向銅布線(xiàn)工藝轉(zhuǎn)變。  銅材質(zhì)具有快速遷移的特性，容易通過(guò)介質(zhì)層擴(kuò)散，導(dǎo)致相鄰銅線(xiàn)之間漏電，進(jìn)而導(dǎo)致器件特性失效。一般在沉積銅之前，在介質(zhì)襯底上沉積擴(kuò)散阻擋層，工業(yè)上已經(jīng)廣泛使用的阻擋層材料是tan/ta。  化學(xué)拋光(CMP)技術(shù)slurry拋光漿料

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吉致電子--不銹鋼工件的研磨拋光工序

不銹鋼拋光液CMP拋光液，主要應(yīng)用于不銹鋼工件表面研磨拋光工藝，不銹鋼拋光液一般有去粗、粗拋、中拋、精拋鏡面四道流程。去粗工藝:不銹鋼拋光液用較粗磨料配方液先去除表面刀痕、毛刺，切割線(xiàn)等痕跡，研磨去除部分余料；的粗拋工藝:研磨移除劃痕和刀痕，提高表面平整度；中拋工藝:進(jìn)階拋光劃痕、麻點(diǎn)，拋光霧面，不銹鋼中拋液提高不銹鋼工件表面亮度。精拋鏡面拋光：用不銹鋼精拋液精細(xì)化拋磨，保持工件表面的亮度升級(jí)亮度反光度，不銹鋼表面達(dá)到反光鏡面。吉致電子CMP手機(jī)鈦合金件研磨拋光液/鋁合金件研磨拋光液/鎂合金件研磨拋光液/不銹鋼研磨

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不銹鋼拋光液的CMP鏡面拋光

  手機(jī)、電腦、平板電腦等移動(dòng)終端設(shè)備，會(huì)用到不銹鋼、鈦合金、鋁合金等金屬材質(zhì)，為了達(dá)到增強(qiáng)光澤度和平坦度，金屬手機(jī)工件需要Logo拋光、攝像頭保護(hù)件拋光、手機(jī)按鍵拋光、手機(jī)邊框拋光等工藝流程。目前3C電子設(shè)備用到最多的拋光方式為CMP拋光工藝，最常用的金屬拋光液--不銹鋼拋光液。  吉致電子不銹鋼拋光液針對(duì)這些不銹鋼工件的拋光設(shè)計(jì)而成，適用于拋光304、316和316L等不銹鋼材料?？捎糜诓讳P鋼件的粗拋、中拋和精拋工藝，以達(dá)到鏡面效果。不銹鋼拋光液經(jīng)過(guò)特殊配方調(diào)配，化學(xué)拋光作用溫和，對(duì)機(jī)臺(tái)和工

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吉致電子淺槽隔離拋光液怎么用

  吉致電子淺槽隔離拋光液適用范圍：?jiǎn)尉Ч?、多晶硅的研磨拋光，存?chǔ)器制程和背照式傳感器(BSI)制程等。  STI Slurry 適用于集成電路當(dāng)中的銅互連工藝制程中銅的去除和平坦化。具有高的銅去除速率，碟型凹陷可調(diào)，低缺陷等特性。可應(yīng)用于邏輯芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量產(chǎn)使用。清除集成電路中銅拋光后表面的拋光顆粒和化學(xué)物殘留，以防銅表面腐蝕，降低表面缺陷。  可定制選擇穩(wěn)定的選擇比，去除速率，對(duì)氧化物/氮化物的選擇比。硅精拋液系列具有低缺陷的優(yōu)點(diǎn)。BS

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吉致電子CMP不銹鋼拋光液的特點(diǎn)

吉致電子CMP拋光液在不銹鋼材料的表面精密加工工藝中，能夠獲得高亮度、無(wú)視覺(jué)缺陷的拋光效果，在手機(jī)、pad、數(shù)碼相機(jī)等電子產(chǎn)品中有很好的應(yīng)用。吉致電子不銹鋼拋光液在實(shí)際應(yīng)用中憑借高濃度、高稀釋比例等卓越的性能得到了客戶(hù)的充分肯定，主要用于不銹鋼的CMP工藝，目前已在國(guó)內(nèi)主流的手機(jī)代工客戶(hù)處得到良好的應(yīng)用。能拋光不銹鋼LOGO鏡面，拋光后光滑如鏡，不出現(xiàn)R角，無(wú)麻點(diǎn)，無(wú)劃傷，無(wú)拋光紋，達(dá)到理想的光潔度。不銹鋼拋光液的特點(diǎn)：①能夠在不銹鋼的CMP過(guò)程中大大提高表面的光亮度和平坦化。②不銹鋼拋光液具有表面張力低、易清洗、

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