鈮酸鋰晶體拋光，用吉致電子CMP鈮酸鋰拋光液是有效方法

 鈮酸鋰晶體(分子式 LiNbO₃簡稱 LN)是一種具有鐵電、壓電、熱電、電光、聲電和光折變效應(yīng)等多種性質(zhì)的功能材料，是目前公認(rèn)為光電子時代"光學(xué)硅"的主要候選材料之一。它在超聲器件、光開關(guān)、光通訊調(diào)制器、二次諧波發(fā)生和光參量振蕩器等方面獲得廣泛應(yīng)用。

  鈮酸鋰晶片的加工質(zhì)量和精度直接影響其器件的性能，因此鈮酸鋰的應(yīng)用要求晶片表面超光滑、無缺陷、無變質(zhì)層。目前,有關(guān)鈮酸鋰晶片的加工特性及其超光滑表面加工技術(shù)的研究較少，鈮酸鋰產(chǎn)品的開發(fā)和應(yīng)用因此受到制約。因此，開展鈮酸鋰晶片超光滑無損傷表面拋光加工技術(shù)研究，對于開發(fā)大直徑鈮酸鋰晶片，進(jìn)一步提高硬脆材料精密與超精密加工水平，促進(jìn)我國光電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義。

  化學(xué)機(jī)械拋光(chemical mechanical polishing,簡稱CMP)技術(shù)是機(jī)械削磨和化學(xué)腐蝕的組合技術(shù)，它借助超微粒子的研磨作用以及拋光液的化學(xué)腐蝕作用在被研磨的介質(zhì)表面上形成光潔平坦表面。CMP技術(shù)綜合化學(xué)和機(jī)械兩方面的特性,既能消除材料表面前加工導(dǎo)致的損傷層,又能夠較好地實(shí)現(xiàn)表面全局平坦化，現(xiàn)已成為半導(dǎo)體加工行業(yè)的主導(dǎo)技術(shù)。研究表明,化學(xué)機(jī)械拋光是獲得高質(zhì)量鈮酸鋰加工表面的有效方法。

 吉致電子鈮酸鋰拋光液與拋光墊搭配使用，通過調(diào)節(jié)CMP機(jī)臺拋光壓力、轉(zhuǎn)速、流速等工藝參數(shù)對材料去除率的影響，獲得光滑的鈮酸鋰晶片高平坦表面。

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