CMP設(shè)備及耗材對半導(dǎo)體硅片拋磨影響嗎？

CMP工藝離不開設(shè)備機臺及耗材，其中耗材主要包括拋光墊slurry和拋光液Pad。

影響半導(dǎo)體晶圓CMP效果主要因素如下：

①設(shè)備參數(shù)：拋光時間、研磨盤轉(zhuǎn)速、拋光頭轉(zhuǎn)速、拋光頭搖擺度、背壓、下壓力等；

②研磨液參數(shù)：磨粒大小、磨粒含量、磨粒凝聚度、酸堿度、氧化劑含量、流量、粘滯系數(shù)等 ；

③拋光墊參數(shù)：硬度、密度、空隙大小、彈性等；

④CMP對象薄膜參數(shù)：種類、厚度、硬度、化學(xué)性質(zhì)、圖案密度等。

半導(dǎo)體晶圓CMP耗材包括拋光液、拋光墊、鉆石碟、清洗液等，對CMP工藝效應(yīng)有關(guān)鍵影響。

1. CMP拋光液：Slurry是研磨材料和化學(xué)添加劑的混合物，可使晶圓表面產(chǎn)生一層氧化膜，再由拋光液中的磨粒去除，達到拋光的目的。半導(dǎo)體拋光液的成分不同，拋磨效果也不同。

2. CMP拋光墊：Pad主要作用是儲存和運輸拋光液、去除磨屑和維持穩(wěn)定的拋光環(huán)境等；

3. CMP鉆石碟：是CMP工藝中必不可少的耗材，用于維持拋光墊表面一定的粗糙狀態(tài)，通常與CMP拋光墊配套使用。

4. CMP清洗液：主要用于去除殘留在晶圓表面的微塵顆粒、有機物、無機物、金屬離子、氧化物等雜質(zhì)，滿足集成電路制造對清潔度的極高要求，對晶圓生產(chǎn)的良率起到了重要的作用。

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