吉致電子LN鈮酸鋰拋光液，CMP精密加工好助手[ 11-06 17:17 ]

  鈮酸鋰化學(xué)式為L(zhǎng)iNbO3簡(jiǎn)稱LN，具有良好的非線性光學(xué)性質(zhì)，可用作光波導(dǎo)材料，或用于制作中低頻聲表濾波器、大功率耐高溫超聲換能器等。鈮酸鋰摻雜技術(shù)如今被廣泛應(yīng)用。Mg:LN提高抗激光損傷閾值，優(yōu)化在非線性光學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用；Nd:Mg:LN晶體可實(shí)現(xiàn)自倍頻效應(yīng)；Fe:LN晶體可用于光學(xué)體全息存儲(chǔ)。CMP研磨液拋光液能平坦化鈮酸鋰晶圓表面凹陷，晶圓快速達(dá)到理想粗糙度。  8寸鈮酸鋰晶圓在光電子器件和集成電路領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。相較于較小尺寸的晶圓，8英寸鈮酸鋰晶圓具有明顯的優(yōu)勢(shì)。首先，它擁有更大

DNA基因芯片cmp工藝[ 10-11 17:17 ]

  基因芯片又稱DNA芯或DNA微陣列。它是一種同時(shí)將大量的探針分子固定到固相支持物上，借助核酸分子雜交配對(duì)的特性對(duì)DNA樣品的序列信息進(jìn)行高效解讀和分析的技術(shù)，主要應(yīng)用在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域、生物學(xué)研究領(lǐng)域和農(nóng)業(yè)領(lǐng)域。DNA芯片生產(chǎn)過程需要經(jīng)過CMP研磨拋光去除基板水凝膜，達(dá)到理想表面效果。 吉致電子DNA基因芯片slurry，有效去除基底涂覆的軟材料,軟材料包括但不限于聚合物、無(wú)機(jī)水凝膠或有機(jī)聚合物水凝膠等?；蛐酒心ヒ菏褂梦⒚准?jí)磨料制備，粒徑均一穩(wěn)定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質(zhì)水凝

CMP拋光液---半導(dǎo)體拋光液種類有哪些[ 08-09 09:01 ]

  半導(dǎo)體拋光液種類有哪些？CMP拋光液在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用遠(yuǎn)不止晶圓拋光，半導(dǎo)體使用的CMP制程包括氧化層（Oxide CMP）、多晶硅（Poly CMP）、金屬層（Metal CMP）。就拋光工藝而言，不同制程的產(chǎn)品需要不同的拋光流程，28nm制程需要12~13次CMP，進(jìn)入10nm制程后CMP次數(shù)將翻倍，達(dá)到25~30次。STI CMP Slurry---淺溝槽隔離平坦化  STI淺溝槽隔離技術(shù)是用氧化物隔開各個(gè)門電路，使各門電路之間互不導(dǎo)通，STI CMP工藝的目標(biāo)是去除填充在淺溝槽中的

CMP拋光墊的種類及特點(diǎn)[ 07-26 16:42 ]

Cmp拋光墊種類可按材質(zhì)結(jié)構(gòu)主要有：聚合物拋光墊、無(wú)紡布拋光墊、帶絨毛結(jié)構(gòu)的無(wú)紡布拋光墊、復(fù)合型拋光墊。①聚合物拋光墊聚合物拋光墊的主要成分是發(fā)泡體固化聚氨酯，聚氨酯拋光墊具有抗撕裂強(qiáng)度高、耐磨性強(qiáng)、耐酸堿腐蝕性優(yōu)異的特點(diǎn)，是最常用的拋光墊材料之一。 圖 聚氨酯拋光墊微觀結(jié)構(gòu) 在拋光過程中，聚氨酯拋光墊表面微孔可以軟化和使拋光墊表面粗糙化，并且能夠?qū)⒛チ项w粒保持在拋光液中，可以實(shí)現(xiàn)高效的平坦化加工。聚氨酯拋光墊表面的溝槽有利于拋光殘?jiān)呐懦?。但聚氨酯拋光墊硬度過高，拋光過程中變形小，加工過程中容

吉致電子CMP拋光墊的作用[ 07-18 16:19 ]

CMP技術(shù)是指被拋光材料在化學(xué)和機(jī)械的共同作用下，工件表面達(dá)到所要求的平整度的一個(gè)工藝過程。cmp拋光液中的化學(xué)成分與被拋磨工件材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成易去除的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對(duì)材料表面進(jìn)行物理機(jī)械拋光將軟化層除去。在CMP制程中，拋光墊的主要作用有：①使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區(qū)域，且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán)；②從工件拋光表面除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；③傳遞材料去除所需的機(jī)械載荷；④維持拋光過程所需的機(jī)械和化學(xué)環(huán)境。除拋光墊的力學(xué)性能以外，其表面組織

SiC碳化硅襯底加工的主要步驟[ 06-21 15:45 ]

SiC碳化硅襯底加工的主要分為9個(gè)步驟：晶面定向、外圓滾磨、端面磨、線切、倒角、減薄、CMP研磨、CMP拋光以及清洗。1.晶面定向：使用 X 射線衍射法為晶錠定向，當(dāng)一束 X 射線入射到需要定向的晶面后，通過衍射光束的角度來確定晶面的晶向。2.外圓滾磨：在石墨坩堝中生長(zhǎng)的單晶的直徑大于標(biāo)準(zhǔn)尺寸，通過外圓滾磨將直徑減小到標(biāo)準(zhǔn)尺寸。3.端面磨：SiC 襯底一般有兩個(gè)定位邊，主定位邊與副定位邊，通過端面磨開出定位邊。4.線切割：線切割是碳化硅SiC 襯底加工過程中一道較為重要的工序。線切過程中造成的裂紋損傷、殘留的亞表面

芯片制造為什么使用單晶硅做襯底[ 05-31 17:27 ]

芯片制造中為什么都喜歡用單晶硅作為襯底材料呢?那是因?yàn)閱尉Ч杵哂幸韵聝?yōu)點(diǎn)：?jiǎn)尉Ч杵前雽?dǎo)體器件制造的基礎(chǔ)材料，應(yīng)用廣泛。計(jì)算機(jī)芯片、智能手機(jī)中的處理器、存儲(chǔ)器.傳感器等都是使用單晶硅片制造的。單晶硅具有顯著的半導(dǎo)體性能：?jiǎn)尉Ч枋且环N半導(dǎo)體材料，具有較弱的導(dǎo)電性。該材料的電導(dǎo)率受光、電、磁、溫度等因素的影響，隨著溫度的升高而增加。超純的單晶硅屬于本征半導(dǎo)體，但在其中摻入亞A族元素，如硼，則可形成p型硅半導(dǎo)體，摻入微量的VA族元素，如磷或砷，則可形成n型硅半導(dǎo)體。通過擴(kuò)散作用，將p型半導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)

吉致電子--GaN氮化鎵CMP拋光的重要性[ 05-31 17:13 ]

  氮化鎵(GaN)是一種具有廣泛應(yīng)用前景的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和光學(xué)性能。在現(xiàn)代電子設(shè)備中，氮化鎵被廣泛應(yīng)用于 LED 顯示屏、激光器、功率放大器等領(lǐng)域，并且在未來的 5G 通訊、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域也具有巨大的發(fā)展?jié)摿ΑＨ欢?，氮化鎵在制備過程中容易受到表面缺陷的影響，影響其性能和穩(wěn)定性，所以氮化鎵拋光工藝顯得尤為重要，淺談一下氮化鎵CMP拋光的重要性。 氮化鎵CMP拋光的重要性主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：1，提高器件的光電性能：氮化鎵材料用于制作 LED和LD等光電器件其表面質(zhì)量影響著器件的

吉致電子--襯底與晶圓CMP磨拋工藝的區(qū)別[ 05-29 15:44 ]

  在半導(dǎo)體制造過程中，襯底和晶圓是兩個(gè)常見的術(shù)語(yǔ)。它們扮演著重要的角色，但在定義、結(jié)構(gòu)和用途上存在一些差異和區(qū)別。  襯底---作為基礎(chǔ)層的材料，承載著芯片和器件。它通常是一個(gè)硅片或其他材料的薄片，作為承載芯片和電子器件的基礎(chǔ)。襯底可以看作是半導(dǎo)體器件的“地基”。襯底的CMP磨拋工藝主要關(guān)注其表面的平整度、清潔度和粗糙度，確保后續(xù)工藝如外延生長(zhǎng)、薄膜沉積等能夠順利進(jìn)行。  晶圓---則是從襯底中切割出來的圓形硅片，作為半導(dǎo)體芯片的主要基板。晶圓的CMP磨拋工藝

吉致電子--單晶硅與多晶硅的區(qū)別[ 05-23 18:01 ]

吉致電子粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液可用于單晶硅片表面CMP及多晶硅CMP。下面簡(jiǎn)單談?wù)剢尉Ч韬投嗑Ч璧膮^(qū)別： 單晶硅和多晶硅是兩種不同的硅材料，它們的主要區(qū)別在于晶體結(jié)構(gòu)、物理性質(zhì)和用途等方面。  ①晶體排列組成不一樣：  單晶硅是由許多晶體周期性排列而成的，其晶體結(jié)構(gòu)具有高度的有序性和一致性，因此其晶體內(nèi)部的原子排列和晶體缺陷都比較少。  多晶硅是由許多小的晶體組成的，每個(gè)小晶體的晶體結(jié)構(gòu)都有一定的差異，因此其晶體內(nèi)部的原子排列和晶體缺陷都比較復(fù)雜。 ②

SiC碳化硅應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？[ 04-30 18:03 ]

碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷兩大類，無(wú)論是作為單晶還是陶瓷，碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大干億賽道的關(guān)鍵材料之一。例如:單晶方面：碳化硅作為目前發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下，碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等節(jié)能減碳行業(yè),萬(wàn)眾矚目。陶瓷方面：碳化硅憑借其優(yōu)異的高溫強(qiáng)度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導(dǎo)熱性、耐腐蝕性等性能，近年來隨著新能源汽車、半導(dǎo)體、光伏等行業(yè)的起飛而需求爆發(fā)，深深地滲入到這些新興領(lǐng)域的

半導(dǎo)體襯底和外延的區(qū)別是什么？[ 04-30 16:39 ]

  在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，特別是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）產(chǎn)業(yè)鏈中，會(huì)有襯底及外延層之分，那外延層的存在有何意義？和襯底的區(qū)別是什么呢？  在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，晶圓制備過程中存在兩個(gè)重要環(huán)節(jié)：①是襯底的制備，②是外延工藝的實(shí)施。這兩個(gè)環(huán)節(jié)的區(qū)別是怎樣的，存在的意義又有何不同？  襯底由半導(dǎo)體單晶材料精心打造的晶圓片，可以作為基礎(chǔ)直接投入晶圓制造的流程來生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，或者進(jìn)一步通過外延工藝來增強(qiáng)性能

CMP設(shè)備及耗材對(duì)半導(dǎo)體硅片拋磨有影響嗎？[ 03-20 17:22 ]

CMP設(shè)備及耗材對(duì)工藝效果影響嗎？答案是：有關(guān)鍵影響。CMP工藝離不開設(shè)備機(jī)臺(tái)及耗材，其中耗材包括拋光墊和拋光液。影響CMP效果主要因素如下：①設(shè)備參數(shù)：拋光時(shí)間、研磨盤轉(zhuǎn)速、拋光頭轉(zhuǎn)速、拋光頭搖擺度、背壓、下壓力等；②研磨液參數(shù)：磨粒大小、磨粒含量、磨粒凝聚度、酸堿度、氧化劑含量、流量、粘滯 系數(shù)等 ；③拋光墊參數(shù)：硬度、密度、空隙大小、彈性等；④CMP對(duì)象薄膜參數(shù)：種類、厚度、硬度、化學(xué)性質(zhì)、圖案密度等。CMP耗材包括拋光液、拋光墊、鉆石碟、清洗液等，對(duì) CMP 工藝效應(yīng)均有關(guān)鍵影響。1. CMP 拋

什么是SIC碳化硅襯底的常規(guī)雙面磨工藝[ 03-07 17:22 ]

碳化硅SIC研磨工藝是去除切割過程中造成碳化硅晶片的表面刀紋以及表面損傷層，修復(fù)切割產(chǎn)生的變形。由于SiC的高硬度的特性，CM{研磨過程中必須使用高硬度的磨料（如碳化硼或金剛石粉）研磨SiC切片的晶體表面。碳化硅襯底常規(guī)的CMP研磨工藝一般分為粗磨和精磨。SiC襯底常規(guī)雙面磨工藝雙面磨工藝又稱DMP工藝，是目前大部分國(guó)內(nèi)碳化硅襯底廠商規(guī)?；a(chǎn)的工藝方案，對(duì)碳化硅進(jìn)行雙面研磨(粗磨/精磨)達(dá)到一定的表面平整度和光潔度。①粗磨：采用鑄鐵盤+單晶金剛石研磨液雙面研磨的方式該工藝可以有效的去除線割產(chǎn)生的損傷層，修復(fù)面型，

CMP制程中拋光墊的作用有哪些？[ 02-21 16:15 ]

  CMP技術(shù)是使被拋光材料在化學(xué)和機(jī)械的共同作用下，材料表面達(dá)到所要求的平整度的一個(gè)工藝過程。拋光液中的化學(xué)成分與材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成易拋光的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對(duì)材料表面進(jìn)行物理機(jī)械拋光將軟化層除去。  在CMP制程中，拋光墊的主要作用有：①傳遞材料去除所需的機(jī)械載荷；②從工件拋光表面除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物（如工件碎屑、拋光碎片等）；③使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區(qū)域，且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán)；④維持拋光過程所需的機(jī)械和化學(xué)環(huán)境。除拋光墊的力

CMP化學(xué)機(jī)械拋光在半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要作用[ 12-21 11:53 ]

  化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是半導(dǎo)體晶圓制造的關(guān)鍵步驟，這項(xiàng)工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整，達(dá)到半導(dǎo)體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材，分別占CMP耗材49%和33%的價(jià)值量，CMP耗材品質(zhì)直接影響拋光效果，對(duì)提高晶圓制造質(zhì)量至關(guān)重要。  CMP拋光液/墊技術(shù)壁壘較高，高品質(zhì)的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質(zhì)量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長(zhǎng)使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環(huán)節(jié)。&nbs

第三代半導(dǎo)體--碳化硅和氮化鎵的區(qū)別[ 11-03 17:35 ]

  隨著國(guó)家對(duì)第三代半導(dǎo)體材料的重視，近年來我國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)展迅猛，其中以碳化硅SiC與氮化鎵NaG為主的材料備受關(guān)注，兩者經(jīng)常被拿來比較。  同為寬近帶半導(dǎo)體的成員，碳化硅SiC與氮化鎵NaG有何相同、有何不同呢？碳化硅與氮化家均屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有禁代寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導(dǎo)電性能好的特點(diǎn)。  隨著市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體器件微型化、導(dǎo)熱性的高要求，這類材料的市場(chǎng)需求暴漲，適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。  ①性能不同：高電子遷移

藍(lán)寶石襯底拋光液--納米氧化鋁拋光液/研磨液[ 10-31 16:46 ]

  氧化鋁拋光液在LED行業(yè)的應(yīng)用廣泛，如藍(lán)寶石襯底的CMP拋光，為避免大粒徑磨料對(duì)工件造成劃傷，通常選用粒徑為50∼200nm，且粒徑分布均勻的納米α-Al2O3磨料。為了確保藍(lán)寶石襯底能拋出均勻的鏡面光澤，需要提升CMP拋光液的切削速率及平坦化效果，吉致電子科技生產(chǎn)的氧化鋁拋光液/研磨液可專業(yè)用于藍(lán)寶石拋光，氧化鋁磨料具有分布窄，粒徑小，硬度高、尺寸穩(wěn)定性好，α相轉(zhuǎn)晶完全，團(tuán)聚小易分散等特點(diǎn)。  吉致電子對(duì)α-Al2O3顆粒的Zeta電位，以及拋光液添加穩(wěn)定劑、分散劑的種類和質(zhì)量都有

半導(dǎo)體拋光中銅拋光液和鎢拋光液的區(qū)別[ 08-18 16:58 ]

  常用的半導(dǎo)體拋光液，按拋光對(duì)象的不同分W鎢拋光液、CU銅拋光液、氧化層拋光液、STI拋光液等。其中銅拋光液slurry主要應(yīng)用于 130nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)邏輯芯片的制造工藝，而鎢拋光液W slurry則大量應(yīng)用于存儲(chǔ)芯片制造工藝，在邏輯芯片中用量較少。  銅拋光液，主要由腐蝕劑、成膜劑和納米磨料組成。腐蝕劑用來腐蝕溶解銅表面，成膜劑用于形成銅表面的鈍化膜，鈍化膜的形成可以保護(hù)腐蝕劑的進(jìn)一步腐蝕，并可有效地降低金屬表面硬度。除此之外，CMP拋光液中經(jīng)常添加一些化學(xué)試劑以調(diào)節(jié)PH值，為拋光過程

打磨碳化硅需要哪種拋光墊？[ 08-17 16:41 ]

  打磨碳化硅需要哪種拋光墊？  打磨碳化硅襯底分研磨和拋光4道工序：粗磨、精磨、粗拋、精拋。拋光墊的選擇根據(jù)CMP工藝制程的不同搭配不同的研磨墊：粗磨墊/精磨墊/粗拋墊/精拋墊  吉致電子CMP拋光墊滿足低、中及高硬度材料拋光需求，具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性價(jià)比等優(yōu)勢(shì)。結(jié)合硬質(zhì)和軟質(zhì)研磨拋光墊的優(yōu)點(diǎn)，可兼顧工件的平坦度與均勻度碳化硅研磨選擇吉致無(wú)紡布復(fù)合拋光墊，提供更快磨合的全局平坦性，提升碳化硅晶圓制程的穩(wěn)定性與尺寸精密度。  壓紋和開槽工藝，讓PAD可保持拋光