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吉致電子拋光材料 源頭廠家
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吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液和研磨液
吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液和研磨液

  吉致電子金剛石拋光液/研磨液包括單晶拋光液、多晶拋光液和類多晶拋光液。金剛石研磨液分為水基和油基兩類。  吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液金剛石拋光液濃度高,金剛石粒徑均勻,懸浮液分散充分。其特點(diǎn)是不結(jié)晶、不團(tuán)聚,磨削力強(qiáng),拋光效果好??梢詽M足高硬度材料、精密的微小元器件、高質(zhì)量表面要求的材料拋光需求。  金剛石拋光液采用優(yōu)質(zhì)金剛石微粉,結(jié)合吉致專利配方工藝,調(diào)配的CMP專用拋光液可最大限度的提高切削力和拋光效率。在實(shí)際使用中工件研磨速率穩(wěn)定,材料去除率高

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吉致電子榮獲第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議“優(yōu)秀組織獎(jiǎng)”
吉致電子榮獲第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議“優(yōu)秀組織獎(jiǎng)”

  2023年11月8日-10日第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議(APCSCRM 2023)在北京圓滿落幕。本次會議聚焦寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)材料及器件多學(xué)科主題,邀請全球60余位知名專家學(xué)者、龍頭企業(yè)、資本機(jī)構(gòu)蒞臨會議現(xiàn)場,通過大會報(bào)告、專場報(bào)告、高峰論壇、口頭報(bào)告、項(xiàng)目路演和墻報(bào)等形式,分享全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體技術(shù)最新研究進(jìn)展,交換產(chǎn)業(yè)前瞻性觀點(diǎn),展示企業(yè)先進(jìn)成果,促進(jìn)行業(yè)互聯(lián)互通。    吉致電子科技有限公司出席了此次會議,并在會議期間設(shè)有展臺。吉致電子的代表們與全球各地的專家

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吉致電子科技碳化硅研磨液的作用
吉致電子科技碳化硅研磨液的作用

  碳化硅研磨液的作用是去除切割過程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面損傷層。由于SiC的高硬度,研磨過程中必須使用高硬度的磨料(如碳化硼或金剛石粉)研磨SiC切片的晶體表面。研磨根據(jù)粗磨和精磨工藝的不同分別使用粗磨液、精磨液。  SiC粗磨液主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的變質(zhì)層,研磨液中會使用粒徑較大的磨粒,以提高加工效率。碳化硅晶圓精磨液主要是去除粗磨留下的表面損傷層,改善表面光潔度,并控制表面面形和晶片的厚度,利于后續(xù)的精細(xì)拋光,因此使用粒徑較細(xì)的磨粒研磨晶片。  為獲

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吉致電子手機(jī)中框拋光液及智能穿戴設(shè)備表面處理
吉致電子手機(jī)中框拋光液及智能穿戴設(shè)備表面處理

手機(jī)中框、智能穿戴設(shè)備表面處理,有拋光、噴砂等工藝。吉致電子3C產(chǎn)品專用拋光液及拋光耗材,速率快效果好。手機(jī)中框?qū)τ阽R面拋光要求非常高,需要達(dá)到鏡面效果,鈦合金相比其他鋁合金、不銹鋼等金屬是相對較硬的材質(zhì)手機(jī)中框鏡面拋光可以用氧化鋁拋光液搭配拋光皮達(dá)到一個(gè)高亮面的效果,其效果可達(dá)到:1.懸浮性好,不易沉淀;2.顆粒分散均勻,不團(tuán)聚,軟硬度適中,有效避免拋光過程中由于顆粒團(tuán)聚導(dǎo)致 的工件表面劃傷缺陷。3.運(yùn)用拋光過程中的化學(xué)新作用,提高拋光速度,改善拋光表面的質(zhì)量。4.分散性好、乳液均一,程度提升拋光速率的同時(shí)降低微

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藍(lán)寶石襯底研磨用什么拋光液
藍(lán)寶石襯底研磨用什么拋光液

  CMP工藝怎么研磨藍(lán)寶石襯底?需要搭配什么拋光液?藍(lán)寶石拋光萬能公式:粗拋、中拋、精拋,每道工序使用不同磨料的拋光液和拋光PAD:①藍(lán)寶石CMP粗磨:藍(lán)寶石襯底粗磨可以選擇硬度高切削力強(qiáng)的吉致金剛石研磨液,搭配金剛石磨盤,速率高效果好可有效去除藍(lán)寶石表面的不平和劃痕。②藍(lán)寶石CMP中拋:這一步可以用銅盤+小粒徑的金剛石研磨液,用來去除粗拋留下的紋路,為鏡面拋光做前期準(zhǔn)備。③藍(lán)寶石CMP精拋:CMP精拋是藍(lán)寶石襯底最后一道工序,需要用到拋光墊+納米氧化硅拋光液來收光,呈現(xiàn)平坦無暇的鏡面效果。 

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半導(dǎo)體先進(jìn)制程PAD拋光墊國產(chǎn)替代進(jìn)行中
半導(dǎo)體先進(jìn)制程PAD拋光墊國產(chǎn)替代進(jìn)行中

  國內(nèi)半導(dǎo)體制造的崛起加速推動(dòng)了半導(dǎo)體材料的國產(chǎn)化進(jìn)程。在政策、資金以及市場需求的帶動(dòng)下,我國集成電路產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展,帶動(dòng)上游材料需求增長。先進(jìn)制程CMP拋光液及CMP拋光墊用量大增,國產(chǎn)替代進(jìn)行中。  CMP拋光墊(CMP PAD)一般分為聚氨酯拋光墊、無紡布拋光墊、阻尼布拋光墊等,高精密研磨拋光墊應(yīng)用于半導(dǎo)體制作、平面顯示器、玻璃光學(xué)、各類晶圓襯底、高精密金屬已經(jīng)硬盤基板等產(chǎn)業(yè),目前主要型號有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等,其中IC1000和SUBA是用得最廣的。&n

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CMP在半導(dǎo)體晶圓制程中的作用
CMP在半導(dǎo)體晶圓制程中的作用

  化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是實(shí)現(xiàn)晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝,通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同配合作用,利用CMP拋光液、拋光機(jī)和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實(shí)現(xiàn)晶圓表面多余材料的去除與納米級全局平坦化。簡單來講,半導(dǎo)體晶圓制程可分為前道和后道 2 個(gè)環(huán)節(jié)。前道指晶圓的加工制造,后道工藝是芯片的封裝測試。  前道加工領(lǐng)域CMP主要負(fù)責(zé)對晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。后道封裝領(lǐng)域CMP 工藝用于先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)的拋光。  晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括 7 個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長、擴(kuò)散、離子注

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TSV拋光液---半導(dǎo)體3D封裝技術(shù)Slurry
TSV拋光液---半導(dǎo)體3D封裝技術(shù)Slurry

  TSV全稱為:Through -Silicon-Via,中文譯為:硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通;TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充,實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連,實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合(Wire Bonding)、TAB和倒裝芯片(FC)之后的第四代封裝技術(shù)。  TSV工藝的優(yōu)勢:可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度,減小信號延遲,降低電容電感,實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗,高速通訊,增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子JEEZ用于3D封裝

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藍(lán)寶石窗口平面加工--藍(lán)寶石研磨液
藍(lán)寶石窗口平面加工--藍(lán)寶石研磨液

 藍(lán)寶石平面視窗、精密質(zhì)量藍(lán)寶石視窗、高精度質(zhì)量藍(lán)寶石視窗是為各種光學(xué)、機(jī)械和電子應(yīng)用提供了強(qiáng)度、耐磨性、化學(xué)惰性適用于光學(xué)和激光應(yīng)用,這些藍(lán)寶石窗口設(shè)計(jì)用于關(guān)鍵的光學(xué)和激光應(yīng)用。藍(lán)寶石窗口的制程中關(guān)鍵步驟需要用到CMP研磨拋光工藝,藍(lán)寶石研磨液適合用于大批量藍(lán)寶石窗口的生產(chǎn)應(yīng)用。  藍(lán)寶石拋光液以高純度氧化硅原料制備而成,具有懸浮性好,不易結(jié)晶,易清洗等特點(diǎn)。用于藍(lán)寶石工件的鏡面研磨,研磨后的工件表面粗糙度低,無劃傷,表面質(zhì)量度高。吉致電子生產(chǎn)研發(fā)的藍(lán)寶石窗口CMP拋光研磨液,性能穩(wěn)

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什么是OX研磨液?吉致電子氧化層拋光液性能有哪些?
什么是OX研磨液?吉致電子氧化層拋光液性能有哪些?

  Oxide slurry 簡稱OX氧化物研磨液廣泛用于氧化層材料的CMP拋光,拋光研磨后達(dá)到精準(zhǔn)的表面平整度和厚度控制,如Si Wafer晶圓表面的氧化硅層或者上層金屬與氧化硅之間的氧化硅層等。  吉致電子OX氧化層拋光液適用于4-12英寸氧化硅鍍膜片的氧化層拋光液。JEEZ半導(dǎo)體拋光液性能優(yōu)點(diǎn):①使用純度高的納米拋光磨料,擁有高速率加工能力;②slurry粒徑大小均勻因此能獲得無缺陷的表面;③ 吉致Oxide slurry 易清洗無殘留,對后續(xù)工藝影響小。 

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半導(dǎo)體行業(yè)CMP化學(xué)機(jī)械平坦化工藝Slurry
半導(dǎo)體行業(yè)CMP化學(xué)機(jī)械平坦化工藝Slurry

  Chemical Mechanical Plamarization化學(xué)機(jī)械平坦化工藝,應(yīng)用于各種集成電路及半導(dǎo)體行業(yè)等減薄與平坦化加工。  CMP工藝融合了化學(xué)研磨和物理研磨的過程,而單一的化學(xué)或物理研磨在表面精度、粗糙度、均勻性、材料去除率及表面損失程度上都不能同時(shí)滿足要求。CMP工藝兼具了二者的優(yōu)點(diǎn),通過拋光液/研磨液(slurry)與拋光墊(Pad)化學(xué)機(jī)械作用,在保證材料去除效率的同時(shí),得到準(zhǔn)確的表面材料層的厚度,獲得較好的晶圓表面平坦度和均勻性,實(shí)現(xiàn)納米級甚至原子級的表面粗糙度,同

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CMP金剛石懸浮液/研磨液的特點(diǎn)及應(yīng)用
CMP金剛石懸浮液/研磨液的特點(diǎn)及應(yīng)用

吉致電子金剛石研磨液產(chǎn)品特點(diǎn):(1)磨料類型多樣化,包含單晶、多晶、類多晶及納米級金剛石等;(2)金剛石懸浮液包含水性、油性及乳化型;(3)金剛石研磨液粘度可調(diào)整,包含低粘度、中等粘度和高粘度;吉致電子金剛石懸浮液/研磨液應(yīng)用領(lǐng)域:1、拋光液CMP半導(dǎo)體晶片加工:藍(lán)寶石、碳化硅、氮化鎵等半導(dǎo)體晶片;2、拋光液陶瓷加工:氧化鋯指紋識別片、氧化鋯陶瓷手機(jī)后殼及其它功能陶瓷;3、拋光液用于金屬材料加工:不銹鋼、模具鋼、鋁合金及其它金屬材料。吉致電子CMP研發(fā)生產(chǎn)廠家,產(chǎn)品質(zhì)量和效果媲美進(jìn)口slurry,CMP拋光液粒度規(guī)

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研磨液廠家--- 什么是CMP研磨液Slurry
研磨液廠家--- 什么是CMP研磨液Slurry

  CMP研磨液(Slurry)是化學(xué)機(jī)械平面工藝中的研磨材料和化學(xué)添加劑的混合物。Slurry主要是由磨料 、表面活性劑、氧化劑、PH緩沖膠和防腐劑等成分組成。其中磨料一般包括二氧化硅(SiO2)、 三氧化二鋁(Al2O3)、 氧化鈰(CeO2),金剛石(單晶、多晶)等。  通俗來講,芯片制造就像蓋高樓,一層一層往上疊加,要想樓不塌,在制造下一層前必須確保本層的平坦度,這就是CMP平坦化的訴求。Wafer晶圓在制造過程中表面上是不平坦的,比如CVD、PVD、EPI、Tungsten Plug等

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銅化學(xué)機(jī)械拋光液---什么是TSV技術(shù)?
銅化學(xué)機(jī)械拋光液---什么是TSV技術(shù)?

銅機(jī)械化學(xué)拋光液---什么是TSV技術(shù)?TSV全稱為:Through -Silicon-Via,中文譯為:硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通;TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充,實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連,實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合(Wire Bonding)、TAB和倒裝芯片(FC)之后的第四代封裝技術(shù)。TSV的顯著優(yōu)勢:TSV可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度,減小信號延遲,降低電容/電感,實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗,高速通訊,增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子

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拋光液廠家--CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料?
拋光液廠家--CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料?

  CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料?  CMP拋光液越來越多的應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體材料的拋光,科研方向朝著攻克拋光液技術(shù)門檻和市場壁壘發(fā)展。CMP工藝的集成電路比例在不斷增加,對CMP材料種類和用量的需求也在增加。更先進(jìn)的邏輯芯片工藝可能會要求拋光新的材料,為CMP拋光材料帶來了更多的增長機(jī)會。  目前,第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。這代半導(dǎo)體具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力

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CMP拋光液廠家---蘋果Logo專用拋光液
CMP拋光液廠家---蘋果Logo專用拋光液

  果粉們時(shí)常被MacBook,Iphone上閃閃發(fā)光的Apple Logo所驚艷到,那么蘋果手機(jī)和筆記本上的金屬Logo是如何實(shí)現(xiàn)鏡面工藝的呢?

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SIT Slurry平坦化流程與方法
SIT Slurry平坦化流程與方法

淺槽隔離(shallow trench isolation),簡稱STI。是在襯底上制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝,通常用于亞0.25um工藝以下,利用掩模完成選擇性氧化,主要絕緣材料是淀積SiO?,淺槽隔離主要分為三個(gè)部分:槽刻蝕,氧化硅填充,CMP拋光液平坦化。一,槽刻蝕1,隔離氧化硅生成:氧化硅用于保護(hù)有源區(qū)在去掉氮化硅時(shí)免受化學(xué)污染2,氮化硅(Si?N?)淀積:氮化硅是堅(jiān)硬的掩模材料,有助于保護(hù)STI氧化硅淀積過程中保護(hù)有源區(qū);在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)中充當(dāng)阻擋材料3,淺槽刻蝕:用氟基和氯基氣體

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吉致電子藍(lán)寶石研磨液CMP減薄工藝
吉致電子藍(lán)寶石研磨液CMP減薄工藝

  藍(lán)寶石研磨液/拋光液,是通過化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)(CMP Chemical Mechanical Polishing ) 用于藍(lán)寶石襯底、窗口片的研磨和減薄,達(dá)到減薄尺寸、表面平坦化效果。  吉致電子藍(lán)寶石研磨液由優(yōu)質(zhì)聚晶金剛石微粉、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成。藍(lán)寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性,在研磨拋光過程中保持高切削效率的同時(shí)不易對工件產(chǎn)生劃傷。  吉致電子藍(lán)寶石研磨液、CMP拋光液可以應(yīng)用在藍(lán)寶石襯底的研磨和減薄、光學(xué)晶體、硬質(zhì)玻璃和晶體、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤、芯片等領(lǐng)域的研

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稀土拋光液--氧化鈰拋光液的種類
稀土拋光液--氧化鈰拋光液的種類

  隨著光學(xué)技術(shù)和集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展,對光學(xué)元件的精密和超精密拋光以及集成電路的CMP拋光工藝的要求越來越高,甚至達(dá)到了極其苛刻的程度,尤其是在表面粗糙度和缺陷的控制方面。鈰系稀土拋光液因其切削能力強(qiáng)、拋光精度高、拋光質(zhì)量好、使用壽命長,在光學(xué)精密拋光領(lǐng)域發(fā)揮了極其重要的作用。吉致電子氧化鈰拋光液的種類和固含量可按拋光工件的用途來分:根據(jù)氧化鈰的含量,氧化鈰拋光液可分為低鈰、中鈰和高鈰拋光液,其切削力和使用壽命也由低到高。1.含95%以上氧化鈰的鈰拋光液呈淡黃色,比重約7.3。主要適用于精密光學(xué)鏡片的

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半導(dǎo)體拋光液--球型二氧化硅拋光液的用途
半導(dǎo)體拋光液--球型二氧化硅拋光液的用途

  球形硅微粉作為拋光液磨料,可大大提高產(chǎn)品的剛性、耐磨性、耐候性、抗沖擊性、耐壓性、抗拉性、阻燃性、良好的耐電弧絕緣性和耐紫外線輻射性。讓我們來看看球型二氧化硅拋光液在電子芯片中的一些應(yīng)用。  精密研磨粉高純球形硅粉用于光學(xué)器件和光電行業(yè)的精密研磨,特別適用于半導(dǎo)體單晶多晶硅片、顯像管玻殼玻屏、光學(xué)玻璃、液晶顯示器(LCD、LED)玻璃基板、壓電晶體、化合物半導(dǎo)體材料(砷化鎵、磷化銦)、磁性材料等半導(dǎo)體行業(yè)的研磨拋光。  吉致電子用高純球形硅粉制備成的超高純硅溶膠拋光液slurry,

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