SIC碳化硅的化學(xué)機械拋光工藝
碳化硅Sic單晶生長之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是沒法直接用于外延的，這就需要加工。其中，滾圓把晶碇做成標(biāo)準(zhǔn)的圓柱體，線切割會把晶碇切割成晶片，各種表征保證加工的方向，而拋光則是提高晶片的質(zhì)量。
SiC表面的損傷層可以通過四種方法去除：
機械拋光：簡單但會殘留劃痕，適用于初拋；
化學(xué)機械拋光：（Chemical Mechanical Polishing，CMP），引入化學(xué)腐蝕去除劃痕，適用于精拋；
氫氣刻蝕：設(shè)備復(fù)雜，常用于HTCVD過程；
等離子輔助拋光：設(shè)備復(fù)雜，不常用。
拋光機：AP-810型單面拋光機； 拋光壓力200g/c㎡； 大盤轉(zhuǎn)速50r/min； 陶瓷盤轉(zhuǎn)速38r/min； 拋光液組成：以SiO2（30wt%、pH=10.15）為基礎(chǔ)，加入0-70wt%的雙氧水（30wt%、純優(yōu)級），最后用KOH（5wt%）、HNO3（1wt%）調(diào)節(jié)pH=8.5； 拋光液流量3L/min，循環(huán)使用。
拋光墊是表面帶有特殊溝槽的多孔材料，主要作用是存儲和傳輸CMP拋光液、對晶片提供一定的壓力并對其表面進行機械摩擦。
本文由無錫吉致電子科技原創(chuàng)，版權(quán)歸無錫吉致電子科技，未經(jīng)允許，不得轉(zhuǎn)載，轉(zhuǎn)載需附出處及原文鏈接。http://paqa.com.cn/
無錫吉致電子科技有限公司
聯(lián)系電話：17706168670
郵編：214000
地址：江蘇省無錫市新吳區(qū)行創(chuàng)四路19-2
下一篇：吉致電子陶瓷基板拋光液上一篇：3C鏡面拋光液用什么拋光液
相關(guān)資訊
最新產(chǎn)品
同類文章排行
- 第三代半導(dǎo)體--碳化硅和氮化鎵的區(qū)別
- 藍寶石襯底拋光液--納米氧化鋁拋光液/研磨液
- 半導(dǎo)體拋光中銅拋光液和鎢拋光液的區(qū)別
- 打磨碳化硅需要哪種拋光墊？
- 二氧化硅拋光液與硅溶膠拋光液有啥不同
- 碳化硅Sic襯底加工流程有哪些
- 半導(dǎo)體拋光---硅片拋光墊怎么選
- 藍寶石拋光用什么拋光液
- 鎢鋼用什么研磨液和拋光液
- CMP常用化學(xué)拋光液有哪些
最新資訊文章
您的瀏覽歷史
