吉致電子科技碳化硅研磨液的作用

  碳化硅研磨液的作用是去除切割過(guò)程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面損傷層。由于SiC的高硬度，研磨過(guò)程中必須使用高硬度的磨料（如碳化硼或金剛石粉）研磨SiC切片的晶體表面。研磨根據(jù)粗磨和精磨工藝的不同分別使用粗磨液、精磨液。  SiC粗磨液主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的變質(zhì)層，研磨液中會(huì)使用粒徑較大的磨粒，以提高加工效率。碳化硅晶圓精磨液主要是去除粗磨留下的表面損傷層，改善表面光潔度，并控制表面面形和晶片的厚度，利于后續(xù)的精細(xì)拋光，因此使用粒徑較細(xì)的磨粒研磨晶片。  為獲

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第三代半導(dǎo)體--碳化硅和氮化鎵的區(qū)別

  隨著國(guó)家對(duì)第三代半導(dǎo)體材料的重視，近年來(lái)我國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)展迅猛，其中以碳化硅SiC與氮化鎵NaG為主的材料備受關(guān)注，兩者經(jīng)常被拿來(lái)比較。  同為寬近帶半導(dǎo)體的成員，碳化硅SiC與氮化鎵NaG有何相同、有何不同呢？碳化硅與氮化家均屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有禁代寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導(dǎo)電性能好的特點(diǎn)。  隨著市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體器件微型化、導(dǎo)熱性的高要求，這類材料的市場(chǎng)需求暴漲，適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。  ①性能不同：高電子遷移

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半導(dǎo)體襯底拋光工藝---磷化銦InP拋光液

  拋光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，獲得無(wú)損傷的平坦化表面。對(duì)于磷化銦INP材料，目前主要采用 CMP化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝來(lái)進(jìn)行拋光。使用吉致電子磷化銦拋光液，可達(dá)到理想的表面粗糙度。磷化銦INP作為半導(dǎo)體襯底，需要經(jīng)過(guò)單晶生長(zhǎng)、切片、外圓倒角、研磨、拋光及清洗等工藝過(guò)程。由于磷化銦硬度小、質(zhì)地軟脆，在鋸切及研磨加工工藝中，晶片表面容易產(chǎn)生表面/亞表面損傷層，需要通過(guò)最終的CMP拋光工藝去除表面/亞表面損傷、減少位錯(cuò)密度并降低表面粗糙度。  吉致電子磷化銦拋光液采用氧化鋁

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藍(lán)寶石襯底拋光液--納米氧化鋁拋光液/研磨液

  氧化鋁拋光液在LED行業(yè)的應(yīng)用廣泛，如藍(lán)寶石襯底的CMP拋光，為避免大粒徑磨料對(duì)工件造成劃傷，通常選用粒徑為50∼200nm，且粒徑分布均勻的納米α-Al2O3磨料。為了確保藍(lán)寶石襯底能拋出均勻的鏡面光澤，需要提升CMP拋光液的切削速率及平坦化效果，吉致電子科技生產(chǎn)的氧化鋁拋光液/研磨液可專業(yè)用于藍(lán)寶石拋光，氧化鋁磨料具有分布窄，粒徑小，硬度高、尺寸穩(wěn)定性好，α相轉(zhuǎn)晶完全，團(tuán)聚小易分散等特點(diǎn)。  吉致電子對(duì)α-Al2O3顆粒的Zeta電位，以及拋光液添加穩(wěn)定劑、分散劑的種類和質(zhì)量都有

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吉致電子手機(jī)中框拋光液及智能穿戴設(shè)備表面處理

手機(jī)中框、智能穿戴設(shè)備表面處理，有拋光、噴砂等工藝。吉致電子3C產(chǎn)品專用拋光液及拋光耗材，速率快效果好。手機(jī)中框?qū)τ阽R面拋光要求非常高，需要達(dá)到鏡面效果，鈦合金相比其他鋁合金、不銹鋼等金屬是相對(duì)較硬的材質(zhì)手機(jī)中框鏡面拋光可以用氧化鋁拋光液搭配拋光皮達(dá)到一個(gè)高亮面的效果，其效果可達(dá)到：1.懸浮性好，不易沉淀；2.顆粒分散均勻，不團(tuán)聚，軟硬度適中，有效避免拋光過(guò)程中由于顆粒團(tuán)聚導(dǎo)致 的工件表面劃傷缺陷。3.運(yùn)用拋光過(guò)程中的化學(xué)新作用，提高拋光速度，改善拋光表面的質(zhì)量。4.分散性好、乳液均一，程度提升拋光速率的同時(shí)降低微

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吉致電子--單晶金剛石研磨液的用途

  吉致電子單晶金剛石研磨液是由單晶金剛石微粉、水/油等液體配制而成的CMP研磨液，可有效提高切削力和拋光效率。單晶金剛石硬度大、抗磨損性能好，具有良好的導(dǎo)熱性能和耐高溫性能，能夠在高溫高壓環(huán)境下保持穩(wěn)定的物理和化學(xué)性質(zhì)。  吉致電子生產(chǎn)的單晶金剛石研磨液 / 單晶金剛石拋光液 / 單晶金剛石懸浮液產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、集成電路、光學(xué)儀器，精密陶瓷，硬質(zhì)合金，LED顯示屏等多種領(lǐng)域。溶劑一般分為水基，油基，潤(rùn)滑基，酒精基。金剛石研磨液粒度：1μm，3μm，6μm，9μm （也可定制0.25μm

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生物芯片拋光---吉致碳酸鈣拋光液

生物基因芯片拋光該選擇什么類型的研磨液/拋光液呢？通常CMP拋光液磨料為氧化硅、氧化鋁、金剛石、氧化鈰等，但用于基因芯片玻璃基底水凝層的去除效果不太理想。經(jīng)過(guò)吉致電子研發(fā)和實(shí)驗(yàn)，配制的碳酸拋光液可有效拋光生物基因芯片達(dá)到理想的平坦度。吉致電子基因芯片拋光液 DNA Slurry選用微米級(jí)磨料，粒徑均一穩(wěn)定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質(zhì)水凝膠、納米壓印、抗蝕劑材料等。通過(guò)CMP工藝可有效去除基底涂層，對(duì)基底無(wú)劃傷無(wú)殘留，吉致電子碳酸鈣拋光液、DNA芯片拋光液與國(guó)內(nèi)外同類產(chǎn)品相比，具有易清洗、表面粗糙度

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吉致電子--磨具拋光液 配油盤(pán)加工拋光

金屬模具研磨拋光---配油盤(pán)由強(qiáng)度較高的模具鋼制成，一般研磨工藝很難達(dá)到拋光效果，即使有效拋磨時(shí)間也非常漫長(zhǎng)。吉致電子使用CMP工藝研磨液和拋光墊結(jié)合，通過(guò)不同磨料制備的液體，快速去除工件表面凹凸不平坦，達(dá)到平整光滑的效果。硬質(zhì)金屬拋光研磨使用金剛石研磨液，實(shí)現(xiàn)平面快速拋光，去毛刺和劃痕。吉致電子金剛石研磨液包括多晶、單晶、納米三種不同類型的拋光液，由優(yōu)質(zhì)的金剛石微粉復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成，配方多樣化，適用不同的研拋過(guò)程和于硬質(zhì)材料的研磨和拋光。本文由無(wú)錫吉致電子科技原創(chuàng)，版權(quán)歸無(wú)錫吉致電子科技，未經(jīng)允許，不得轉(zhuǎn)

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吉致電子 Diamond slurry多晶金剛石研磨液

吉致電子多晶金剛石研磨液---由優(yōu)質(zhì)多晶金剛石微粉復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)制備而成，廣泛適用于半導(dǎo)體行業(yè)、金屬行業(yè)、光電行業(yè)等工件的研磨加工。金剛石研磨液主要應(yīng)用領(lǐng)域：藍(lán)寶石加工----用于藍(lán)寶石A向、C向、R向、M向，藍(lán)寶石LED襯底、藍(lán)寶石蓋板、藍(lán)寶石窗口片。半導(dǎo)體加工----單晶/多晶硅、碳化硅SIC、氮化鎵晶圓片加工陶瓷材料加工--氧化鋯指紋識(shí)別片，氧化鋯陶瓷手機(jī)后殼，氮化鋁陶瓷以及其他功能陶瓷加工。光學(xué)晶體加工--硒化鋅晶體、硫化鋅晶體以及其他晶體材料加工。金屬材料加工--不銹鋼、鋁合金、硬質(zhì)合金、鎢鉬合金以

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藍(lán)寶石襯底研磨用什么拋光液

  CMP工藝怎么研磨藍(lán)寶石襯底？需要搭配什么拋光液？藍(lán)寶石拋光萬(wàn)能公式：粗拋、中拋、精拋，每道工序使用不同磨料的拋光液和拋光PAD：①藍(lán)寶石CMP粗磨：藍(lán)寶石襯底粗磨可以選擇硬度高切削力強(qiáng)的吉致金剛石研磨液，搭配金剛石磨盤(pán)，速率高效果好可有效去除藍(lán)寶石表面的不平和劃痕。②藍(lán)寶石CMP中拋：這一步可以用銅盤(pán)+小粒徑的金剛石研磨液，用來(lái)去除粗拋留下的紋路，為鏡面拋光做前期準(zhǔn)備。③藍(lán)寶石CMP精拋：CMP精拋是藍(lán)寶石襯底最后一道工序，需要用到拋光墊+納米氧化硅拋光液來(lái)收光，呈現(xiàn)平坦無(wú)暇的鏡面效果。 

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半導(dǎo)體拋光中銅拋光液和鎢拋光液的區(qū)別

  常用的半導(dǎo)體拋光液，按拋光對(duì)象的不同分W鎢拋光液、CU銅拋光液、氧化層拋光液、STI拋光液等。其中銅拋光液slurry主要應(yīng)用于 130nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)邏輯芯片的制造工藝，而鎢拋光液W slurry則大量應(yīng)用于存儲(chǔ)芯片制造工藝，在邏輯芯片中用量較少。  銅拋光液，主要由腐蝕劑、成膜劑和納米磨料組成。腐蝕劑用來(lái)腐蝕溶解銅表面，成膜劑用于形成銅表面的鈍化膜，鈍化膜的形成可以保護(hù)腐蝕劑的進(jìn)一步腐蝕，并可有效地降低金屬表面硬度。除此之外，CMP拋光液中經(jīng)常添加一些化學(xué)試劑以調(diào)節(jié)PH值，為拋光過(guò)程

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打磨碳化硅需要哪種拋光墊？

  打磨碳化硅需要哪種拋光墊？  打磨碳化硅襯底分研磨和拋光4道工序：粗磨、精磨、粗拋、精拋。拋光墊的選擇根據(jù)CMP工藝制程的不同搭配不同的研磨墊：粗磨墊/精磨墊/粗拋墊/精拋墊  吉致電子CMP拋光墊滿足低、中及高硬度材料拋光需求，具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性價(jià)比等優(yōu)勢(shì)。結(jié)合硬質(zhì)和軟質(zhì)研磨拋光墊的優(yōu)點(diǎn)，可兼顧工件的平坦度與均勻度碳化硅研磨選擇吉致無(wú)紡布復(fù)合拋光墊，提供更快磨合的全局平坦性，提升碳化硅晶圓制程的穩(wěn)定性與尺寸精密度。  壓紋和開(kāi)槽工藝，讓PAD可保持拋光

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二氧化硅拋光液與硅溶膠拋光液有啥不同

  二氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝制備成的一種低金屬離子高純度CMP拋光產(chǎn)品。 硅溶膠拋光液是以液體形式存在，直徑為10-150nm的二氧化硅粒子（分散相）在水或有機(jī)液體（分散介質(zhì)）里的分散體系，粒子的形貌多為球形，適用于各類工件的鏡面拋光，如金屬、藍(lán)寶石襯底、半導(dǎo)體、光學(xué)玻璃、精密電子元器件等的鏡面拋光。 本質(zhì)上講二氧化硅拋光液、硅溶膠拋光液都是一種東西，主要成分都是SiO2只是叫法不同。在CMP研磨拋光工藝中，機(jī)器通過(guò)壓力泵把氧化硅拋光液輸送到拋光槽內(nèi)進(jìn)行循環(huán)使用，

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碳化硅Sic襯底加工流程有哪些

碳化硅襯底是以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物理氣相傳輸法生長(zhǎng)碳化硅晶體，加工制成碳化硅晶片，簡(jiǎn)單流程可概括為原料合成→晶體生長(zhǎng)→。1、原料合成將高純硅粉和高純碳粉按一定配比混合，在 2000C以上的高溫下反應(yīng)合成碳化硅顆粒。再經(jīng)過(guò)破碎、清洗等工序，制得滿足晶體生長(zhǎng)要求的高純度碳化硅微粉原料。2、晶體生長(zhǎng)以高純度碳化硅微粉為原料，使用自主研制的晶體生長(zhǎng)爐，采用物理氣相傳輸法 (PVT 法) 生長(zhǎng)碳化硅晶體將高純碳化硅微粉和籽晶分別置于單晶生長(zhǎng)爐內(nèi)圓柱狀密閉的石墨甘場(chǎng)下部和頂部，通過(guò)電磁感應(yīng)將

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半導(dǎo)體拋光---硅片拋光墊怎么選

  硅片拋光涉及到半導(dǎo)體工件的技術(shù)加工領(lǐng)域，硅片拋光墊的多孔結(jié)構(gòu)和軟性磨料材料，可以適應(yīng)不同硅片材料的表面結(jié)構(gòu)，達(dá)到不同表面加工的需求。在微電子、半導(dǎo)體、光電等領(lǐng)域中，CMP拋光墊的使用越來(lái)越廣泛，尤其是在制造高性能晶體管、集成電路和MEMS等微納米器件中，CMP拋光墊的質(zhì)量和性能至關(guān)重要。   硅片拋光墊的主要作用有：①使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區(qū)域，且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán)；②從工件拋光表面除去拋光過(guò)程產(chǎn)生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；③傳遞材料去除所需的

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吉致電子---常見(jiàn)的半導(dǎo)體研磨液有哪些

  吉致電子半導(dǎo)體研磨液有哪些？常見(jiàn)的CMP研磨液有氧化鋁研磨液，金剛石研磨液，藍(lán)寶石研磨液。分別用于磨削工件、半導(dǎo)體制程、光學(xué)玻璃晶圓等工件加工。  其中金剛石研磨液，它的硬度非常高，性能穩(wěn)定切削力強(qiáng)，被廣泛應(yīng)用于led工業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、光學(xué)玻璃和寶石加工業(yè)、機(jī)械加工業(yè)等不同行業(yè)中。研磨液是半導(dǎo)體加工生產(chǎn)過(guò)程中的一項(xiàng)非常重要工藝，它主要是通過(guò)CMP研磨液混配磨料的方式對(duì)半導(dǎo)體表面進(jìn)行精密加工，達(dá)到平坦度。研磨液是影響半導(dǎo)體表面工作質(zhì)量的重要經(jīng)濟(jì)因素。吉致電子用經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)服務(wù)每一位客戶，有CMP

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藍(lán)寶石拋光用什么拋光液

  在生產(chǎn)藍(lán)寶石襯底的時(shí)候產(chǎn)生裂痕和崩邊現(xiàn)象的比例比較高，占總是的5%-8%。我國(guó)藍(lán)寶石批量生產(chǎn)的技術(shù)還很不成熟，切割完的藍(lán)寶石晶片有很深的加工痕跡，拋光后易形成很深的麻坑或劃傷。因此需要通過(guò)CMP研磨拋光技術(shù)來(lái)達(dá)到工件平坦度，拋光過(guò)程中影響拋光質(zhì)量的因素有很多，如拋光液的組分和PH值、壓力、溫度、流量、轉(zhuǎn)速和拋光墊的質(zhì)量等。  藍(lán)寶石晶圓的拋光需要對(duì)拋光液材質(zhì)有很高的要求，磨料太軟會(huì)導(dǎo)致拋光時(shí)間過(guò)長(zhǎng)而拋光效果不理想。目前拋藍(lán)寶石合適的是鉆石拋光液，鉆石拋光液磨料是采用金剛石，有很高的硬度，搭配

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半導(dǎo)體先進(jìn)制程PAD拋光墊國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)行中

  國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造的崛起加速推動(dòng)了半導(dǎo)體材料的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。在政策、資金以及市場(chǎng)需求的帶動(dòng)下，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，帶動(dòng)上游材料需求增長(zhǎng)。先進(jìn)制程CMP拋光液及CMP拋光墊用量大增，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)行中。  CMP拋光墊（CMP PAD）一般分為聚氨酯拋光墊、無(wú)紡布拋光墊、阻尼布拋光墊等，高精密研磨拋光墊應(yīng)用于半導(dǎo)體制作、平面顯示器、玻璃光學(xué)、各類晶圓襯底、高精密金屬已經(jīng)硬盤(pán)基板等產(chǎn)業(yè)，目前主要型號(hào)有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等，其中IC1000和SUBA是用得最廣的。&n

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CMP在半導(dǎo)體晶圓制程中的作用

  化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是實(shí)現(xiàn)晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝，通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同配合作用，利用CMP拋光液、拋光機(jī)和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實(shí)現(xiàn)晶圓表面多余材料的去除與納米級(jí)全局平坦化。簡(jiǎn)單來(lái)講，半導(dǎo)體晶圓制程可分為前道和后道 2 個(gè)環(huán)節(jié)。前道指晶圓的加工制造，后道工藝是芯片的封裝測(cè)試。  前道加工領(lǐng)域CMP主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。后道封裝領(lǐng)域CMP 工藝用于先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)的拋光。  晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括 7 個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注

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鎢鋼用什么研磨液和拋光液

  硬質(zhì)合金也就是鎢鋼，在現(xiàn)代工業(yè)中的應(yīng)用非常廣泛，如鋼鐵、交通、建筑等領(lǐng)域?qū)τ操|(zhì)合金的需求愈發(fā)旺盛，隨著對(duì)深加工產(chǎn)品需求的高漲，硬質(zhì)合金將向精深加工、工具配套方向發(fā)展;向超細(xì)、超粗及涂層復(fù)合結(jié)構(gòu)等方向發(fā)展;向循環(huán)經(jīng)濟(jì)、節(jié)能環(huán)保方向發(fā)展;向精密化、小型化方向發(fā)展。那么鎢鋼研磨用什么拋光液？  鎢鋼用于高精度機(jī)械加工、高精度刀具材料、車床、沖擊鉆鉆頭、玻璃刀刀頭、瓷磚割刀之上。這類硬質(zhì)工件需要經(jīng)過(guò)研磨拋光工藝來(lái)達(dá)到使用標(biāo)準(zhǔn)。鎢鋼特點(diǎn)是耐磨、硬度高、韌性強(qiáng)，耐腐蝕等一系列優(yōu)良性能，尤其它的高硬度和耐

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